2012, ISBN: 9781849965613
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2012, ISBN: 1849965617
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Springer, Taschenbuch, Auflage: 2006, 772 Seiten, Publiziert: 2012-03-14T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 2.34 kg, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaften & Te… Altro …
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Dati bibliografici del miglior libro corrispondente
Autore: | |
Titolo: | |
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Informazioni dettagliate del libro - Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics
EAN (ISBN-13): 9781849965613
ISBN (ISBN-10): 1849965617
Copertina rigida
Copertina flessibile
Anno di pubblicazione: 2010
Editore: Springer London Ltd
751 Pagine
Lingua: eng/Englisch
Libro nella banca dati dal 2011-10-03T01:39:39+02:00 (Rome)
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ISBN/EAN: 9781849965613
ISBN - Stili di scrittura alternativi:
1-84996-561-7, 978-1-84996-561-3
Stili di scrittura alternativi e concetti di ricerca simili:
Autore del libro : krier
Dati dell'editore
Autore: Anthony Krier
Titolo: Springer Series in Optical Sciences; Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics
Editore: Springer; Springer London
752 Pagine
Anno di pubblicazione: 2012-03-14
London; GB
Stampato / Fatto in
Lingua: Inglese
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354,00 CHF (CH)
POD
XVIII, 752 p. 443 illus.
BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Elektrizität, Magnetismus, Optik; Laserphysik; Verstehen; Absorption; Condensed Matter; Diode Lasers; LED; Light-emitting Diode; Mid-infrared; Optoelectronics; Photodetectors; Photodiode; Transmission; Vakuuminjektionsverfahren; electrical engineering; quantum cascade laser; quantum dot; semiconductor; Laser; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Technology and Engineering; Optical Materials; Condensed Matter Physics; Elektronik; Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); BB
Materials and Device Design Considerations.- Theory of Mid-wavelength Infrared Laser Active Regions: Intrinsic Properties and Design Strategies.- Band Structure and High-pressure Measurements.- Lasers.- III-Sb-based Type-I QW Diode Lasers.- VCSELs Emitting in the 2–3 µm Wavelength Range.- Antimonide Type-II “W” Lasers.- Interface Lasers with Asymmetric Band Offset Confinement.- IV–VI Semiconductors for Mid-infrared Optoelectronic Devices.- Mid-infrared Vertical Cavity Surface Emitting Lasers based on the Lead Salt Compounds.- Optically Pumped MIR Lasers.- Mid-infrared Quantum Cascade Lasers.- LEDs and Detectors.- Mid-infrared Electroluminescence in LEDs Based on InAs and Related Alloys.- LED-Photodiode Opto-pairs.- QWIP Detectors for the MWIR.- Negative Luminescence.- Mid-infrared Quantum Dot Photodetectors.- Quantum Photovoltaic Devices Based on Antimony Compound Semiconductors.- High-speed Avalanche Photodiodes for the 2–5 µm Spectral Range.- Applications.- Infrared Methods for Gas Detection.- Mid-infrared Biomedical Applications.- Development of Infrared Countermeasure Technology and Systems.- Survey of Thermophotovoltaic (TPV) Devices.Provides the reader with a complete survey of the properties of mid-infrared optoelectronic sources and sensors Advances the creation of practical devices for the detection of various pollutant gases as well as narcotics and for infrared communications equipment
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