- 5 Risultati
prezzo più basso: € 36,50, prezzo più alto: € 42,12, prezzo medio: € 38,00
1
Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
Ordina
da amazon.co.uk
£ 33,50
(indicativi € 38,38)
Spedizione: € 4,801
Ordina
Dettagli del offerente
Link sponsorizzato
Kristian Hafkemeyer:

Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - edizione con copertina flessibile

2011, ISBN: 3832527915

Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], 2011-02-23, Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und ato… Altro …

  - Neuware. Costi di spedizione:Europa Zone 1: GBP 5,48 pro Produkt.. Usually dispatched within 24 hours. Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 4.80) Logos Verlag Berlin
Chiudere (X)
2
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
Ordina
da amazon.de
€ 36,50
Spedizione: € 3,001
Ordina
Dettagli del offerente
Link sponsorizzato

Kristian Hafkemeyer:

Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - edizione con copertina flessibile

ISBN: 3832527915

Taschenbuch, [EAN: 9783832527914], Logos Berlin, Logos Berlin, Book, [PU: Logos Berlin], Logos Berlin, 295206, Hilfsmittel, 290518, Chemie, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606,… Altro …

  - Neuware. Costi di spedizione:Innerhalb EU, Schweiz und Liechtenstein (sofern Lieferung möglich). Gewöhnlich versandfertig in 24 Stunden. Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 3.00) Logos Verlag Berlin
Chiudere (X)
3
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
Ordina
da amazon.de
€ 36,50
Spedizione: € 3,001
Ordina
Dettagli del offerente
Link sponsorizzato
Kristian Hafkemeyer:
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - edizione con copertina flessibile

ISBN: 3832527915

Taschenbuch, [EAN: 9783832527914], Logos Berlin, Logos Berlin, Book, [PU: Logos Berlin], Logos Berlin, 290520, Ingenieurwissenschaften, 292377, Bauwesen, 290873, Chemie, 560290, Druckluft… Altro …

  - <img src="http://www.assoc-amazon.de/e/ir?t=sfb&l=as2&o=3&a=3832527915" width="1" height="1" border="0" alt="" style="border:none !important; margin:0px !important;" />Neuware Costi di spedizione:Innerhalb EU, Schweiz und Liechtenstein (soferne Lieferung möglich) (EUR 3.00) Logos Verlag Berlin
Chiudere (X)
4
Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika (German Edition) - Kristian Hafkemeyer
Ordina
da amazon.com
$ 52,00
(indicativi € 42,12)
Ordina
Dettagli & spedizione
Link sponsorizzato
Kristian Hafkemeyer:
Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika (German Edition) - edizione con copertina flessibile

ISBN: 3832527915

Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Si… Altro …

  - Neuware. Costi di spedizione:Usually ships in 24 hours., Costi di spedizione aggiuntivi Logos Verlag Berlin GmbH
Chiudere (X)
5
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
Ordina
da lehmanns.de
€ 36,50
Spedizione: € 0,001
Ordina
Dettagli del offerente
Link sponsorizzato
Kristian Hafkemeyer:
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika - edizione con copertina flessibile

2011, ISBN: 9783832527914

Softcover, Buch, [PU: Logos Berlin]

  - Costi di spedizione:Versand in 7-9 Tagen, , Versandkostenfrei innerhalb der BRD (EUR 0.00)
Chiudere (X)
1Poiché alcune piattaforme non trasmettono le condizioni di spedizione e queste possono dipendere dal paese di consegna, dal prezzo di acquisto, dal peso e dalle dimensioni dell'articolo, dall'eventuale iscrizione alla piattaforma, dalla consegna diretta da parte della piattaforma o tramite un fornitore terzo (Marketplace), ecc. è possibile che le spese di spedizione indicate da eurolibro non corrispondano a quelle della piattaforma offerente.

Dati bibliografici del miglior libro corrispondente

Dettagli del libro
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Autore:
Titolo:
ISBN:

9783832527914


Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlassigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer grossen Statistik bezuglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusatzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation naher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.

Informazioni dettagliate del libro - Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika


EAN (ISBN-13): 9783832527914
ISBN (ISBN-10): 3832527915
Copertina flessibile
Anno di pubblicazione: 2011
Editore: Logos Verlag Berlin

Libro nella banca dati dal 2015-03-13T23:53:05+01:00 (Rome)
Pagina di dettaglio ultima modifica in 2018-03-25T17:27:42+02:00 (Rome)
ISBN/EAN: 9783832527914

ISBN - Stili di scrittura alternativi:
3-8325-2791-5, 978-3-8325-2791-4
Stili di scrittura alternativi e concetti di ricerca simili:
Autore del libro : hafkemeyer

Dati dell'editore

Autore: Kristian Hafkemeyer
Titolo: Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Editore: Logos Berlin
Anno di pubblicazione: 2011-02-23
Lingua: Tedesco
36,50 € (DE)
37,50 € (AT)
Not available, publisher indicates OP

BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik, Elektronik; Degradation; MOS-FET; Gatedielektrika; CMOS; Matrix-Teststrukturen; 2010; TU Hamburg-Harburg

< Per archiviare...