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Dati bibliografici del miglior libro corrispondente

Dettagli del libro
An Indium-Phosphide Double-Heterojunction Bipolar Transistor Technology for 80 Gb/S Integrated Circuits (Series in microelectronics)
Autore:
Titolo:
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3866280009


Indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistors (InP DHBTs) belong to the fastest transistor technologies today. The combination of excellent electron transport properties, low thermal resistivity, high breakdown voltages and modest lithography requirements makes InP DHBTs an optimal choice for state-of-the-art ultra-high-speed applications such as driver circuits. In this work we present the development of an InP DHBT technology for 80 Gb/s circuits. This includes the design, fabrication, characterization and modeling of the DHBTs and the analysis, design, implementation and characterization of the 80Gb/s large-signal circuits.

Informazioni dettagliate del libro - An Indium-Phosphide Double-Heterojunction Bipolar Transistor Technology for 80 Gb/S Integrated Circuits (Series in microelectronics)


ISBN (ISBN-10): 3866280009 (ISBN-13: 9783866280007)
Copertina flessibile
Editore: Hartung-Gorre

Libro nella banca dati dal 2007-04-05T09:12:42+02:00 (Rome)
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ISBN/EAN: 3866280009

ISBN - Stili di scrittura alternativi:
3-86628-000-9
Stili di scrittura alternativi e concetti di ricerca simili:
Autore del libro : schnyder
Titolo del libro: indium phosphide, microelectronic circuits, microelectronic circuit

Dati dell'editore

Autore: Iwan Schnyder
Titolo: Series in Microelectronics; An Indium-Phosphide Double-Heterojunction Bipolar Transistor Technology for 80Gb/s Integrated Circuits
Editore: Hartung-Gorre
260 Pagine
Anno di pubblicazione: 2005-07-04
Lingua: Inglese
64,00 € (DE)
65,80 € (AT)
125,20 CHF (CH)
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BC; KART; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Elektrizität, Magnetismus, Optik; Elektrizität, Magnetismus und Elektromagnetismus

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