- 5 Risultati
prezzo più basso: € 43,82, prezzo più alto: € 61,71, prezzo medio: € 50,52
1
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
Ordina
da Amazon.de (Intern. Bücher)
€ 43,82
Spedizione: € 3,001
OrdinaLink sponsorizzato
Perrone, Denis:

4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - edizione con copertina flessibile

2010, ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Taschenbuch, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 0.18 kg, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaf… Altro …

Costi di spedizione:Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 3.00)
2
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
Ordina
da Amazon.de (Intern. Bücher)
€ 49,00
Spedizione: € 0,001
OrdinaLink sponsorizzato

Perrone, Denis:

4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - edizione con copertina flessibile

2010, ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Taschenbuch, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 0.18 kg, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaf… Altro …

Costi di spedizione:Auf Lager, Lieferung von Amazon. (EUR 0.00) Amazon.de
3
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
Ordina
da amazon.co.uk
£ 53,44
(indicativi € 61,71)
Spedizione: € 3,231
OrdinaLink sponsorizzato
Perrone, Denis:
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - edizione con copertina flessibile

2010

ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Paperback, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, 0.18 kg, Electronics Engineering, Electronics & Communications Engineering, … Altro …

Gebraucht, wie neu. Costi di spedizione:Usually dispatched within 6 to 7 days. Die angegebenen Versandkosten können von den tatsächlichen Kosten abweichen. (EUR 3.23) swestbooks
4
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - Perrone, Denis
Ordina
da amazon.co.uk
£ 40,67
(indicativi € 46,96)
Spedizione: € 0,001
OrdinaLink sponsorizzato
Perrone, Denis:
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques - edizione con copertina flessibile

2010, ISBN: 9783838380643

LAP LAMBERT Academic Publishing, Paperback, 116 Seiten, Publiziert: 2010-07-26T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, 0.18 kg, Electronics Engineering, Electronics & Communications Engineering, … Altro …

Costi di spedizione:In stock, Lieferung von Amazon. (EUR 0.00) Amazon.co.uk
5
Ordina
da alibris.co.uk
£ 44,28
(indicativi € 51,13)
OrdinaLink sponsorizzato
Perrone, Denis:
4hsic Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors Process and Characterization Techniques - edizione con copertina flessibile

2007, ISBN: 9783838380643

Softcover, PLEASE NOTE, WE DO NOT SHIP TO DENMARK. New Book. Shipped from UK in 4 to 14 days. Established seller since 2000. Please note we cannot offer an expedited shipping service from… Altro …

Costi di spedizione:Costi di spedizione aggiuntivi Fairford, GLOS, Paperbackshop International

1Poiché alcune piattaforme non trasmettono le condizioni di spedizione e queste possono dipendere dal paese di consegna, dal prezzo di acquisto, dal peso e dalle dimensioni dell'articolo, dall'eventuale iscrizione alla piattaforma, dalla consegna diretta da parte della piattaforma o tramite un fornitore terzo (Marketplace), ecc. è possibile che le spese di spedizione indicate da eurolibro non corrispondano a quelle della piattaforma offerente.

Dati bibliografici del miglior libro corrispondente

Dettagli del libro
4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques

Silicon Carbide (SiC) is a semiconductor employed for the fabrication of high - power and high - frequency electronic devices, with lower power losses and smaller size than their Si or GaAs counterparts. Recently, SiC substrates with a very low defect density, and with a good control on the doping characteristics became commercially available. Due to these technological improvements, the polytype 4H can be exploited in all its potential in order to fabricate Schottky Barrier Diodes (SBDs) and Junction Field Effect Transistors (JFETs). SiC SBDs with 600 V blocking voltage capabilities have been yet commercialized. This device can provide theoretical blocking voltage values as high as 3300 V with low leakage currents, well beyond the performances of the Si - based counterpart. In particular, SiC - based transistor JFETs can be designed with a vertical structure using the 4H polytype, because of the high values of the on - axis mobility. This book provides to the researchers in the field of SiC power devices an introduction to the process techniques commonly employed for the fabrication and characterization of SiC SBDs and JFETs.

Informazioni dettagliate del libro - 4H-SiC Schottky Barrier Diodes and Junction Field Effect Transistors: Process and characterization techniques


EAN (ISBN-13): 9783838380643
ISBN (ISBN-10): 3838380649
Copertina rigida
Copertina flessibile
Anno di pubblicazione: 2010
Editore: LAP LAMBERT Academic Publishing
116 Pagine
Peso: 0,189 kg
Lingua: eng/Englisch

Libro nella banca dati dal 2008-07-30T12:01:24+02:00 (Rome)
Pagina di dettaglio ultima modifica in 2024-01-22T13:33:32+01:00 (Rome)
ISBN/EAN: 9783838380643

ISBN - Stili di scrittura alternativi:
3-8383-8064-9, 978-3-8383-8064-3
Stili di scrittura alternativi e concetti di ricerca simili:
Autore del libro : perrone, denis den, dénis
Titolo del libro: sic diodes, sic non, transistors


< Per archiviare...